Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 235,00 €

(TVA exclue)

1 495,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,247 €1 235,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-3043
Référence fabricant:
ISZ040N03L5ISATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

OptiMOSTM Power-MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

ISZ

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Power Dissipation Pd

37W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21

Automotive Standard

No

The Infineon low voltage power MOSFETs offering broad accessibility and competitive price/performance ratio.

Enables cost effective solutions

Fast shipment

Liens connexes