Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 142 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- N° de stock RS:
- 273-5246
- Référence fabricant:
- BSZ0901NSIATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,71 €
(TVA exclue)
6,91 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 95 unité(s) expédiée(s) à partir du 22 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,142 € | 5,71 € |
| 50 - 495 | 0,954 € | 4,77 € |
| 500 - 995 | 0,816 € | 4,08 € |
| 1000 - 2495 | 0,804 € | 4,02 € |
| 2500 + | 0,788 € | 3,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-5246
- Référence fabricant:
- BSZ0901NSIATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 142A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-TSDSON-8FL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 142A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-TSDSON-8FL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an integrated monolithic schottky like diode. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. Optimized SyncFET for high performance buck converter.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0901NSIATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0902NSATMA1
- Infineon OptiMOS Power Transistor Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ810P06LMATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1