Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- N° de stock RS:
- 273-5359
- Référence fabricant:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
4,48 €
(TVA exclue)
5,42 €
(TVA incluse)
Ajouter 105 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Dernier stock RS
- 90 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,896 € | 4,48 € |
| 50 - 495 | 0,746 € | 3,73 € |
| 500 - 995 | 0,64 € | 3,20 € |
| 1000 - 2495 | 0,628 € | 3,14 € |
| 2500 + | 0,614 € | 3,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-5359
- Référence fabricant:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | ISZ | |
| Package Type | PG-TSDSON-8FL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series ISZ | ||
Package Type PG-TSDSON-8FL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | ||
The Infineon Power MOSFET is an optimized for high performance buck converter. This power MOSFET has an excellent gate charge. It has very low on resistance and qualified according to JEDEC standard.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Superior thermal resistance
Liens connexes
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ143N13NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ056N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
