Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 14.9 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,94 €

(TVA exclue)

8,395 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 75 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,388 €6,94 €
50 - 951,156 €5,78 €
100 - 2451,07 €5,35 €
250 - 9950,99 €4,95 €
1000 +0,972 €4,86 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-5244
Référence fabricant:
BSO301SPHXUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

14.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-DSO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

136nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

Width

40 mm

Height

1.5mm

Length

40mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.

Logic level

Halogen free

RoHS compliant

Avalanche rated

Pb free lead plating

Enhancement mode

Liens connexes