Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Type P-Channel MOSFET, -14.9 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

7,32 €

(TVA exclue)

8,855 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 90 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,464 €7,32 €
50 - 951,22 €6,10 €
100 - 2451,126 €5,63 €
250 - 9951,044 €5,22 €
1000 +1,022 €5,11 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-5242
Référence fabricant:
BSO080P03SHXUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-14.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Package Type

PG-DSO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

-102nC

Forward Voltage Vf

-0.82V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

40mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.

Logic level

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Enhancement mode

Liens connexes