Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

5,27 €

(TVA exclue)

6,375 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 25 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,054 €5,27 €
50 - 950,96 €4,80 €
100 - 4950,882 €4,41 €
500 - 19950,756 €3,78 €
2000 +0,738 €3,69 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-2806
Référence fabricant:
IRF7351TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Pays d'origine :
PH
The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.

Ultra low gate impedance

20V VGS maximum gate rating

Fully characterized avalanche voltage and current

Liens connexes