Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 273-2806
- Référence fabricant:
- IRF7351TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,054 € | 5,27 € |
| 50 - 95 | 0,96 € | 4,80 € |
| 100 - 495 | 0,882 € | 4,41 € |
| 500 - 1995 | 0,756 € | 3,78 € |
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- N° de stock RS:
- 273-2806
- Référence fabricant:
- IRF7351TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
- Pays d'origine :
- PH
The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.
Ultra low gate impedance
20V VGS maximum gate rating
Fully characterized avalanche voltage and current
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