Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 273-2806
Référence fabricant:: IRF7351TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 273-2806
Référence fabricant:: IRF7351TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	17.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 17.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

Pays d'origine :: PH

The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.

Ultra low gate impedance

20V VGS maximum gate rating

Fully characterized avalanche voltage and current

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