Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
262-6735
Référence fabricant:
IRF7465TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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