Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
262-6737
Référence fabricant:
IRF7473TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.75mm

Width

4 mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

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