Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 262-6737
Référence fabricant:: IRF7473TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

2 344,00 €

(TVA exclue)

2 836,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	0,586 €	2 344,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 262-6737
Référence fabricant:: IRF7473TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	61nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5mm
	Height	1.75mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5mm
	Height 1.75mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7473TRPBF

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

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