Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 217-2606
Référence fabricant:: IRF7469TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 396,00 €

(TVA exclue)

1 688,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	0,349 €	1 396,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 217-2606
Référence fabricant:: IRF7469TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	21mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.75mm
	Length	4.9mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.75mm
	Length 4.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7469TRPBF

The Infineon 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package.

Ultra-Low Gate Impedance

Very Low RDS(on)

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

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