Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 262-6732
Référence fabricant:: IRF7451TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 700,00 €

(TVA exclue)

2 056,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	0,425 €	1 700,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 262-6732
Référence fabricant:: IRF7451TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	90mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	1.75mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 1.75mm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7451TRPBF

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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