Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
217-2604
Référence fabricant:
IRF7458TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

4.9mm

Standards/Approvals

No

Height

1.75mm

Width

3.9 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package.

Ultra-Low Gate Impedance

Very Low RDS(on)

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

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