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Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3

N° de stock RS:: 268-8372
Référence fabricant:: SQS460CENW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 268-8372
Référence fabricant:: SQS460CENW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PowerPAK 1212-8W
	Series	SQS
	Mount Type	PCB
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.059Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.845V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Maximum Power Dissipation Pd	27W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PowerPAK 1212-8W
	Series SQS
	Mount Type PCB
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.059Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.845V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Maximum Power Dissipation Pd 27W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQS460CENW-T1_GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay automotive dual N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device. That is single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature.

AEC Q101 qualified

ROHS compliant

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