Vishay Type P-Channel MOSFET, 214 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS405CENW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 239-8685
- Référence fabricant:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
16,00 €
(TVA exclue)
19,25 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 3 025 unité(s) expédiée(s) à partir du 08 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,64 € | 16,00 € |
| 250 - 600 | 0,602 € | 15,05 € |
| 625 - 1225 | 0,544 € | 13,60 € |
| 1250 - 2475 | 0,512 € | 12,80 € |
| 2500 + | 0,48 € | 12,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-8685
- Référence fabricant:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 214A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8W | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.02Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 197W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 214A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8W | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.02Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 197W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay SQS is automotive P-Channel MOSFET which operates at 40 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
AEC-Q101 qualified
UIS tested
Liens connexes
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQSA82CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ENW-T1_GE3
- Vishay SQS840CENW N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS840CENW-T1_BE3
- Vishay SQS484CENW N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS484CENW-T1_BE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS141ELNW-T1_GE3