Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 192 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS120ELNW-T1_GE3

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Référence fabricant:
SQS120ELNW-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

192A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

1212-8SLW

Series

SQS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0033Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

119W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

88nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Fully lead (Pb)-free device

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