Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 214 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3

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268-8370
Référence fabricant:
SQS140ELNW-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

214A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212-8SLW

Series

SQS

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0043Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57nC

Maximum Power Dissipation Pd

197W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature. It has wettable flank terminals.

Low thermal resistance

AEC Q101 qualified

ROHS compliant

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