Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 214 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8370
- Référence fabricant:
- SQS140ELNW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 268-8370
- Référence fabricant:
- SQS140ELNW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 214A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Series | SQS | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0043Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 57nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 197W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 214A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SLW | ||
Series SQS | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0043Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 57nC | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 197W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature. It has wettable flank terminals.
Low thermal resistance
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
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