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Vishay Type N-Channel MOSFET, 141 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS180ELNW-T1_GE3

N° de stock RS:: 252-0324
Référence fabricant:: SQS180ELNW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Type N-Channel MOSFET, 141 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS180ELNW-T1_GE3

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N° de stock RS:: 252-0324
Référence fabricant:: SQS180ELNW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	141A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-40V
	Package Type	PowerPAK 1212-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.01mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	192W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	94nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.15mm
	Width	3.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 141A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -40V
	Package Type PowerPAK 1212-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.01mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 192W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.15mm
	Width 3.3 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Wettable flank terminals

Low thermal resistance with 0.75 mm profile

Vishay Type N-Channel MOSFET, 141 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS180ELNW-T1_GE3

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