Vishay SQ4850CEY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4850CEY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 268-8359
- Référence fabricant:
- SQ4850CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
9,91 €
(TVA exclue)
11,99 €
(TVA incluse)
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,991 € | 9,91 € |
| 50 - 90 | 0,971 € | 9,71 € |
| 100 - 240 | 0,774 € | 7,74 € |
| 250 - 990 | 0,757 € | 7,57 € |
| 1000 + | 0,504 € | 5,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8359
- Référence fabricant:
- SQ4850CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SQ4850CEY | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.031Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SQ4850CEY | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.031Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
Liens connexes
- Vishay SQ4850CEY Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4850CEY-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ9945CEY-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SQRS160EP-T1_GE3
- Vishay SQJA38EP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay SQ4917CEY 4 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4917CEY-T1_GE3
- Vishay SQJA66EP_RC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA66EP-T1_GE3
- Vishay SQJB46EP_RC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3