Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3

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268-8319
Référence fabricant:
SIHP150N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220AB

Series

SIHP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay E series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correcti

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

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