Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3

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268-8319
Référence fabricant:
SIHP150N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHP

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay E series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correcti

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

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