Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3

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268-8298
Référence fabricant:
SIHG150N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247AC

Series

SIHG

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.7mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay E series power MOSFET which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

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