Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK085N60EF-T1GE3
- N° de stock RS:
- 268-8307
- Référence fabricant:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SIHK | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.085Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 184W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 9.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SIHK | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.085Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 184W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 9.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correct
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
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