Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH250N60EF-T1GE3
- N° de stock RS:
- 268-8303
- Référence fabricant:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,34 € | 8,68 € |
| 50 - 98 | 3,90 € | 7,80 € |
| 100 - 248 | 3,19 € | 6,38 € |
| 250 - 998 | 3,14 € | 6,28 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8303
- Référence fabricant:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerPAK 8 x 8 | |
| Series | SIHH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.25Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerPAK 8 x 8 | ||
Series SIHH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.25Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TW
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies, and telecom power supplies.
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
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