Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH085N60EF-T1GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

16 371,00 €

(TVA exclue)

19 809,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +5,457 €16 371,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
268-8300
Référence fabricant:
SIHH085N60EF-T1GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

SIHH

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
TW
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correct

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Liens connexes