Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB080N60E-GE3

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268-8289
Référence fabricant:
SIHB080N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SIHB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.08Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supp

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