Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 34 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB150N60E-GE3
- N° de stock RS:
- 279-9905
- Référence fabricant:
- SIHB150N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,80 €
(TVA exclue)
9,44 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 992 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,90 € | 7,80 € |
| 10 - 28 | 3,815 € | 7,63 € |
| 30 - 98 | 3,74 € | 7,48 € |
| 100 + | 3,52 € | 7,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9905
- Référence fabricant:
- SIHB150N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SIHB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 184W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SIHB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 184W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Reduced switching and conduction losses
Liens connexes
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB085N60EF-GE3
- Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB22N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB186N60EF-GE3
- Vishay SiHB125N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB125N60EF-GE3
- Vishay SiHB068N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB068N60EF-GE3
- Vishay SiHB105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB105N60EF-GE3
- Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHFBC30AS-GE3