Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB6N80AE-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

42,45 €

(TVA exclue)

51,35 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 1 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 500,849 €42,45 €
100 - 4500,684 €34,20 €
500 +0,625 €31,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
268-8294
Référence fabricant:
SIHB6N80AE-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-263

Series

SIHB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.95Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay E series power MOSFET has low switching and conduction losses, it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies, and power factor correction power supplies. It has integrated zener diode for ESD protection.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Liens connexes