Vishay SIHA Type N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIHA150N60E-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8288
- Référence fabricant:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
8,68 €
(TVA exclue)
10,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 998 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,34 € | 8,68 € |
| 10 - 18 | 3,92 € | 7,84 € |
| 20 - 98 | 3,84 € | 7,68 € |
| 100 - 498 | 3,21 € | 6,42 € |
| 500 + | 2,725 € | 5,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8288
- Référence fabricant:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SIHA | |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.158Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SIHA | ||
Package Type PowerPAK SO-8DC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.158Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay E series power MOSFET has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
Liens connexes
- Vishay SIHA Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIHA150N60E-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR500EP-T1-RE3
- Vishay SIDR Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
