Vishay SIDR Type N-Channel MOSFET, 227 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 268-8285
- Référence fabricant:
- SIDR626EP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 227A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SIDR | |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00174Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 227A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SIDR | ||
Package Type PowerPAK SO-8DC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00174Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TW
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET has TOP side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.
Tuned for the lowest figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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