Vishay Type N-Channel MOSFET, 415 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

4 329,00 €

(TVA exclue)

5 238,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,443 €4 329,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-8614
Référence fabricant:
SiDR220EP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

415A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00082Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 25 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density, synchronous buck converter and load switching.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Low power loss

UIS tested

Liens connexes