ROHM R6004END3 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004END3TL1

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N° de stock RS:
264-3776
Référence fabricant:
R6004END3TL1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R6004END3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.98Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

59W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.

Fast switching

Parallel use is easy

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