ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6010YND3TL1
- N° de stock RS:
- 265-284
- Référence fabricant:
- R6010YND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 10 unités)*
11,25 €
(TVA exclue)
13,61 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,125 € | 11,25 € |
| 100 - 240 | 1,069 € | 10,69 € |
| 250 - 490 | 0,99 € | 9,90 € |
| 500 - 990 | 0,911 € | 9,11 € |
| 1000 + | 0,877 € | 8,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-284
- Référence fabricant:
- R6010YND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | R60 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 390mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 92W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series R60 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 390mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 92W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET features low on resistance and fast switching capabilities, making it ideal for various switching applications. Its low on resistance enhances efficiency by minimizing power loss, while the fast switching speed allows for quick response times in dynamic environments. This combination of attributes ensures reliable performance in demanding applications, such as power management and motor control.
Drive circuits can be simple
Pb free lead plating
RoHS compliant
Halogen free
Liens connexes
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6009RND3TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004RND3TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6009KND3TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 7 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6007RND3TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6004END4TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6003KND4TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6006KND4TL1
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-223-3 R6002JND4TL1