ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6010YND3TL1

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265-284
Référence fabricant:
R6010YND3TL1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R60

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

92W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET features low on resistance and fast switching capabilities, making it ideal for various switching applications. Its low on resistance enhances efficiency by minimizing power loss, while the fast switching speed allows for quick response times in dynamic environments. This combination of attributes ensures reliable performance in demanding applications, such as power management and motor control.

Drive circuits can be simple

Pb free lead plating

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