ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6009KND3TL1

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264-791
Référence fabricant:
R6009KND3TL1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

R60

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.535Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.5nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM Nch 600V 9A TO-252 (DPAK) High-speed switching is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

Low on-resistance

Ultra fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating; RoHS compliant

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