Références fabricant

ROHM R6013VND3 NaN N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

N° de stock RS:: 265-5414
Référence fabricant:: R6013VND3TL1
Fabricant:: ROHM

ROHM R6013VND3 NaN N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 265-5414
Référence fabricant:: R6013VND3TL1
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-252
	Series	R6013VND3 NaN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	131W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS NaN
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-252
	Series R6013VND3 NaN
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 131W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS NaN
	Automotive Standard No

Datasheet - R6013VND3TL1

The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

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