ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004RND3TL1

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264-919
Référence fabricant:
R6004RND3TL1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R60

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.73Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM Presto MOS features a 600V rating and 4A current capacity in a TO-252 DPAK package with an integrated high-speed diode. It is a fast trr power MOSFET, making it ideal for high-efficiency switching applications.

Fast reverse recovery time trr

Low on-resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

Pb-free plating and RoHS compliant

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