ROHM R6004END3 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 230,00 €

(TVA exclue)

1 487,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,492 €1 230,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
264-3775
Référence fabricant:
R6004END3TL1
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

R6004END3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.98Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

59W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.

Fast switching

Parallel use is easy

Liens connexes