Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7451TRPBF

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262-6734
Référence fabricant:
IRF7451TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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