Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

2,41 €

(TVA exclue)

2,915 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 520 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 450,482 €2,41 €
50 - 1200,416 €2,08 €
125 - 2450,40 €2,00 €
250 - 4950,392 €1,96 €
500 +0,382 €1,91 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
260-5129
Référence fabricant:
IPD30N06S2L23ATMA3
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Channel Mode

N

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. Its maximum power dissipation is 100 W. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

N channel enhancement mode

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

Liens connexes