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Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3

N° de stock RS:: 260-5129
Référence fabricant:: IPD30N06S2L23ATMA3
Fabricant:: Infineon

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3

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125 - 245	0,538 €	2,69 €
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N° de stock RS:: 260-5129
Référence fabricant:: IPD30N06S2L23ATMA3
Fabricant:: Infineon

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Series	IPD
	Package Type	PG-TO-252
	Mount Type	Surface
	Channel Mode	N
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Series IPD
	Package Type PG-TO-252
	Mount Type Surface
	Channel Mode N
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD30N06S2L23ATMA3

The Infineon N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. Its maximum power dissipation is 100 W. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

N channel enhancement mode

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3

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