Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3
- N° de stock RS:
- 260-5129
- Référence fabricant:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
7,67 €
(TVA exclue)
9,28 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 1 485 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,534 € | 7,67 € |
| 50 - 120 | 1,32 € | 6,60 € |
| 125 - 245 | 1,274 € | 6,37 € |
| 250 - 495 | 1,246 € | 6,23 € |
| 500 + | 1,214 € | 6,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-5129
- Référence fabricant:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. Its maximum power dissipation is 100 W. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.
N channel enhancement mode
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Liens connexes
- Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252 IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 60 V N TO-252
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 60 V N TO-252 IPD220N06L3GATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252