Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 30 A N PG-TO-252 IPD30N06S2L23ATMA3
- N° de stock RS:
- 260-5129
- Référence fabricant:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 260-5129
- Référence fabricant:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | N | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
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|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode N | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. Its maximum power dissipation is 100 W. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.
N channel enhancement mode
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
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