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Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2

N° de stock RS:: 258-3864
Référence fabricant:: IPD80P03P4L07ATMA2
Fabricant:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2

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N° de stock RS:: 258-3864
Référence fabricant:: IPD80P03P4L07ATMA2
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Package Type	PG-TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Maximum Power Dissipation Pd	88W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Package Type PG-TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Maximum Power Dissipation Pd 88W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD80P03P4L07ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

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