Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2

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Référence fabricant:
IPD80P03P4L07ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-0.31 V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

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