Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P405ATMA2
- N° de stock RS:
- 258-3869
- Référence fabricant:
- IPD90P04P405ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
4,42 €
(TVA exclue)
5,34 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 724 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 25 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,21 € | 4,42 € |
| 20 - 48 | 1,83 € | 3,66 € |
| 50 - 98 | 1,72 € | 3,44 € |
| 100 - 198 | 1,59 € | 3,18 € |
| 200 + | 1,48 € | 2,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3869
- Référence fabricant:
- IPD90P04P405ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
Liens connexes
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P404ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252