Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P404ATMA2

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229-1839
Référence fabricant:
IPD90P03P404ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

137W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Length

6.5mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel normal level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.

It is RoHS compliant and AEC qualified

It has 175°C operating temperature

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