Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 258-3868
- Référence fabricant:
- IPD90P04P405ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,715 € | 1 787,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3868
- Référence fabricant:
- IPD90P04P405ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
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