Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 7.60 A, 30 V Enhancement PQFN IRLHS6376TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9447
- Référence fabricant:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
5,05 €
(TVA exclue)
6,11 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,505 € | 5,05 € |
| 100 - 240 | 0,48 € | 4,80 € |
| 250 - 490 | 0,43 € | 4,30 € |
| 500 - 990 | 0,304 € | 3,04 € |
| 1000 + | 0,269 € | 2,69 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9447
- Référence fabricant:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.9W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.9W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLHS series is the 30V Dual N channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 2x2 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
Low RDS (on) in a small package
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHM630TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRFHM830TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
