Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 80 V, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

2 564,00 €

(TVA exclue)

3 104,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 01 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
4000 +0,641 €2 564,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9321
Référence fabricant:
IRF7854TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.4mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 80V n channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount package

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz


Liens connexes