Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 80 V, 8-Pin SO-8 IRF7854TRPBF

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257-9322
Référence fabricant:
IRF7854TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.4mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 80V n channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount package

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz


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