Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -6.7 A, -20 V, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
257-9309
Référence fabricant:
IRF7404TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-6.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

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