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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -7.4 A, -12 V, 8-Pin SO-8 IRF7329TRPBF

N° de stock RS:: 257-9308
Référence fabricant:: IRF7329TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -7.4 A, -12 V, 8-Pin SO-8 IRF7329TRPBF

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N° de stock RS:: 257-9308
Référence fabricant:: IRF7329TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-7.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-12V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	199mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.1nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Height	1.75mm
	Width	4 mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -7.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -12V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 199mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.1nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Height 1.75mm
	Width 4 mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7329TRPBF

The Infineon IRF series is the -12V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

RoHS Compliant

Low RDS (on)

Dual p channel mosfet

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