Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9 A, 20 V, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
257-9302
Référence fabricant:
IRF7324TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

-9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -20V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

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