Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9 A, 20 V, 8-Pin SO-8 IRF7324TRPBF

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257-9303
Référence fabricant:
IRF7324TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

-9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -20V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

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