Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252 IRFR7446TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-5883
- Référence fabricant:
- IRFR7446TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
4,97 €
(TVA exclue)
6,015 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 405 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,994 € | 4,97 € |
| 50 - 120 | 0,906 € | 4,53 € |
| 125 - 245 | 0,846 € | 4,23 € |
| 250 - 495 | 0,786 € | 3,93 € |
| 500 + | 0,728 € | 3,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-5883
- Référence fabricant:
- IRFR7446TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 98W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 98W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and its used for OR-ing and redundant power switches and DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters.
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dv/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V D-PAK IRFR7446TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V D²Pak IRF1404STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V D²Pak IRFS3607TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V D²Pak IRFS3107TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V D-PAK IRFR3710ZTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D-PAK IRFR7540TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V D²Pak IRF1405STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V D-PAK IRFR024NTRPBF
