Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252 IRFR7446TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-5883
- Référence fabricant:
- IRFR7446TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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| 50 - 120 | 1,258 € | 6,29 € |
| 125 - 245 | 1,176 € | 5,88 € |
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- N° de stock RS:
- 257-5883
- Référence fabricant:
- IRFR7446TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 98W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 98W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and it’s used for OR-ing and redundant power switches and DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters.
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dv/dt and dI/dt Capability
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