Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V TO-252 IRFR4104TRPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

5,79 €

(TVA exclue)

7,01 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 950 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,579 €5,79 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
217-2625
Référence fabricant:
IRFR4104TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

89nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

2.39 mm

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Distrelec Product Id

304-39-423

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance 1

75°C Operating Temperature

Fast Switching R

repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax L

ead-Free

Liens connexes