Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

678,00 €

(TVA exclue)

820,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 - 20000,339 €678,00 €
4000 +0,322 €644,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-5548
Référence fabricant:
IRFR7446TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.9mΩ

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

98W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and it’s used for OR-ing and redundant power switches and DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters.

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dv/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

Liens connexes